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本研究纳米透明导电材料的制备及应用研究在国外特别是美国、日本很受重视，目前已经进入生产阶段。而我国在这方面的研究才刚刚起步，产品主要依靠进口。本试验目的是提高产品性能，替代进口。 以SnCl45H2O和SbCl3为原料，采用醇盐水解法制备锑掺杂二氧化锡（ATO）纳米导电粉体，重点研究多种氧化物掺杂ATO提高粉体的光电性能，取得了显著的成效。 系统研究了醇盐水解法的工艺，并考察了醇化温度、水解温度、掺杂浓度、水解酸度、表面活性剂种类以及煅烧温度等对粉体粒径及电学性能的影响规律，对实验结果进行了讨论，优化实验条件，并进行了综合实验研究。 为使粉体的各项性能得到提高尝试着用多种氧化物掺杂，发现在一定掺杂范围内，掺杂氧化锰粉体的电阻率降低57.9％，掺杂氧化锌粉体的电阻率将降低54.3％。 掺杂氧化锆，膜的透光率将会降低12％；掺杂氧化锌，膜的透光率降低7.33％。掺杂氧化锆，氧化锰，氧化锌对粉体颜色变化不大。而掺杂氧化钛，氧化硅，氧化铁，氧化铬对粉体颜色变化大，尤其随着掺杂量的增加变化更大，粉体颜色趋于发白。 掺杂氧化硅和氧化铁显著减小粒径，同时氧化硅使得制备薄膜时对基体的粘附性更好。掺杂氧化锆将会稍微减小粒径，掺杂氧化锰和氧化钛对粉体粒径影响不大，而掺杂氧化铬和氧化锌将会增大粉体的粒径。所有掺杂的氧化物都会减少团聚。 运用差热分析（DTA）、X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）、透射电镜（TEM）、测量比表面等现代检测手段对微粉进行了表征，并测量了粉体的电阻率和透光率。选用最佳试验条件所制备的综合样品的结晶粒度为5.5nm，实际颗粒度为7.95nm，电阻率达1.094Ω·cm，粉体晶型仍为四方晶系，透光率达70.5％。电阻率比没掺杂的粉体低32％，透光率降低6％，各项性能指标符合生产要求。 新方法工艺设备简单、污染小、成本较低，产品质量高，可以替代进口产品。创造了一个适合生产开发的新工艺。