高产率廉价硅源激光法制备SiC纳米粉的研究

来源 :中国科学院金属研究所 | 被引量 : 0次 | 上传用户:luohz09
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纳米碳化硅(SiC)粉以其优异的物理、化学和力学性能及其在结构材料和功能材料领域中的良好表现倍受人们的关注.近几年来理想谦廉价纳米SiC粉体的制备就成为纳米材料科学与工程中的一个重要课题.该文以激光诱导化学气相沉积法(Laser Induced Chemical Vapor Deposition,LICVD法)制备廉价、高纯、优质纳米SiC陶瓷粉体产业化技术以及纳米SiC粉体应用为目标,在廉价反应原料的选择,粉体的制备工艺,粉体结构与性能,纳米SiC粉体的提纯和分散以及提高粉体产率必须提高激光光能利用率等关键技术方面进行了理论与实验研究.
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