Flash存储器具有高速度、大容量、非易失性和高可靠性等特点，近年来已经逐步应用于航天电子系统中，空间中的各种高能粒子会对包括Flash的各种电子元器件造成严重的影响，引起各种辐射效应，总剂量效应是Flash存储器在空间应用中需要面对的最重要的问题之一，因此对Flash存储器的总剂量效应研究具有十分重要的意义。本文从总剂量效应在MOS器件中的产生机理出发，首先分析了总剂量效应对MOS器件电参数和性能的影响。接着结合NOR型Flash存储器的内部各模块的电路结构和浮栅单元的工作原理研究其总剂量敏感单元和敏感参数，分析得出电荷泵和存储单元是NOR型Flash敏感单元的结论。在调研国内外辐射试验标准和相关文献的基础上，制订总剂量试验方案，开发设计出一套针对AM29LV160D芯片的总剂量效应试验系统。在总剂量试验中，动态偏置的芯片最先失效，芯片的擦除时间在试验中严重退化且编程功能总是先于擦除功能失效。试验结果证明电荷泵是Flash存储器的总剂量试验中最敏感的单元，存储单元中辐射诱发的两种陷阱电荷的不同可能是导致芯片编程和擦除功能先后失效的重要原因，开启电荷泵的动态偏置是Flash存储器总剂量试验的最劣偏置。