越来越多的研究表明，镉可诱导HEK—293细胞发生凋亡并其凋亡依赖于线粒体途径。弄清线粒体在细胞凋亡中的作用机制，对于研究细胞凋亡的调控机制具有重要的理论意义。本研究通过构建Endo G基因真核表达载体，研究Endo G基因在镉诱导HEK—293细胞凋亡过程中的作用。　　 1．Endo G在镉处理HEK—293、WRL—68和HepG2细胞中表达量的分析　　 每种细胞分别选择两个适当的氯化镉浓度梯度处理，通过Western blot，分析比较Endo G蛋白在三种细胞中表达量的差异。结果显示，在HEK—293、WRL—68和HepG2细胞中，Endo G表达量较多的细胞是HepG2，其次是WRL—68，较少的是HEK—293细胞。而且，随着氯化镉诱导浓度的增加，每种细胞中Endo G表达量呈递减趋势。　　 2．pcDNA3．0—EndoG真核表达载体的构建　　 从HepG2细胞中提取总RNA，逆转录后获得cDNA模板。根据GenBank公布的人源Endo G基因序列设计引物，通过PCR方式扩增基因，将基因和载体双酶切后，通过T4连接酶将基因连到pcDNA3．0中，得到pcDNA3．0—EndoG真核表达载体。结果显示，成功地构建了含目的基因的真核表达载体pcDNA3．0—EndoG，为研究该基因在镉诱导细胞凋亡中的作用奠定基础。　　 3．Endo G基因在镉诱导HEK—293细胞凋亡中的作用　　 将真核表达载体pcDNA3．0—EndoG和空载体pcDNA3．0分别与pcDNA3．0—GFP共转染HEK—293细胞，用磷酸钙转染法转染时间达32 h，采用Western blot检测细胞内Endo G蛋白表达量。通过MTT、AO/EB以及流式细胞术检测该基因与镉对细胞成活率与凋亡率的影响，通过Real—time PCR检测Endo G mRNA转录的变化。结果显示，在HEK—293细胞成功表达了Endo G基因，随着镉处理浓度的增加，Endo G表达量出现先上升后下降的现象。Real—time PCR结果显示，低浓度的氯化镉促进Endo G mRNA转录，而高浓度的氯化镉抑制Endo G mRNA的形成。Endo G在镉诱导HEK—293细胞凋亡过程中起着重要调控作用。