超临界流体干燥制备SiO气凝胶绝热材料

来源 :第五届全国超临界流体技术学术及应用研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:caidingfu
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超临界流体干燥技术是制备具有高比表面积、孔体积、较低密度和低热导率的块状气凝胶的重要途径之一.本文采用廉价的工业级多聚硅E-40为硅源,通过溶胶-凝胶法,以乙醇为干燥介质在超临界条件下制备具有纳米多孔结构的块状SiO<,2>气凝胶,用扫描电镜和孔径分布仪对其结构进行了表征,采用Hot Disk热学测试仪对气热学特性进行了测试,结果显示,该气凝胶为纳米多孔结构,孔径在20nm附近,热导率在0.022E/m.k~0.023W/m.k之间.通过超临界流体干燥法制备的块状SiO<,2>气凝胶是一种轻质高效的绝热材料,具有广泛的应用前景.
其他文献
概述了超导YBaCuO123结构中Fe替代Y的研究结果和进展。利用准分子脉冲激光淀积技术制备了外延YBaCuFeO薄膜,其中x高达2.25。对外延薄 膜样品的输运性质测量结果表明,其电阻率随Fe替代Y的比例升高而上升,超导转变温度随 替代率升高而下卫。外延薄膜样品在替代量x=0.3时超导转变温度下降不如块状样品明显, 大于0.6的样品(20℅)在高于13K温度时未观察到超导转变。讨论了造成外延薄膜
该文叙述了两种模型的超导核磁共振探测线圈的设计,计算了超导探测线圈的谐振频率。并获得较好的实验验证。尤其对于双层膜的模型,实验测得的谐振频率与计算值的误差仅为11℅,详细叙述了制备YBCO核磁共振探测线圈的工艺及测试方法,测量了线圈的Q值,其有载Q值在77K时达5500。
为了加强微波信号与Josephson结的耦合,作者设计了平面对数周期天线和平面组抗 匹配电路来提高结与信号源之间的耦合,并实现了结、天线和匹配电路的平面集成。该工作可以用于毫米波段与亚毫米波段的谐波混频上。
随首超导薄膜电子学技术发以及新的利用YBCO薄膜局域改制作超导微波无源器件方法的出现,研究超导薄膜表面的局域微波特性及其在薄膜及其在薄膜表面的空间分布图象变得越来越重要。该文介绍了作者设计制作的同轴谐振腔型微波近场扫描显微镜及其工作原理。了检验其在超导薄膜评价及超导无源器件检测方面的性能,作者分别采用氟化和激光局域改性的方法在YBCO超导薄膜表面制作了条纹器件,利用微波近场扫描显微镜检测了器件表面
作者研制了梳齿式超导共面谐振器,具有很高的品质因数,达10量极。配合作者的350MHzrfSQUID线路测试获得的最佳白噪声为2.6×10Φ/VHz,对应的磁场分辨 率为93fT/VHz,比传统分立元件谐振回路有了很大的提高。
该文系统研究了Ag/YBCO薄膜退火后Ag膜微观形貌与相应接触电阻率以及它们之间的 关系,在最佳温度退火后Pc为6×10Ω·cm(77K),并对接触电阻随不同退火温度 的变化以及薄膜和块材变化规律的差异进行了解释。
利用磁控溅射方法,作者以不同厚度的(LaCuO)作为缓冲层,在SrTiO(STO) 基底上外延生长了相同厚度的LaSrCuO薄膜。X光衍射分析结果表明,薄膜样品呈C轴取向生长并具有很好的外延结构。随着温缓冲层厚度的增加薄膜的C轴晶格常数增大。利用四引线方法,作者在DC-SOUID上测量了薄膜的电阻特性。结果表明:在低温区,缓冲层越厚,电阻越小。在缓冲层最厚的样品,薄膜的低温电阻可以用变程跃进模型拟
该文介绍了利用PLD(Pulsed Laser Deposition)在MgO基底上制备YBCO/BaZrO多 层薄膜的技术,用X衍射分析了样品的结构,显示了这两层薄膜的生长情况良好,并测量了BaZrO的电路回线。讨论和展望了BaZrO材料的应用前景。
该文介绍了氧掺杂对T1BaCaCuO(T1-1212)薄膜超导电性的影响。T1-1212薄膜是在氧气中经高温热处理生成的,超导转变温度一般为80-90K。薄膜在Ar气氛中经低 温脱氧热处理后,氧含量可达到最佳值,薄膜的超导电性明显得到改善,Tc最高可达到100K,Jc(77K,0T)高于1×10A/cm。薄膜处于缺氧状态时,Tc和Jc又会下降。低温脱氧 热处理后,对薄膜的晶体结构及形貌也进行了研究
该文利用CF气体,对YBCO薄膜表面进行了可控的rf等离子体氟化处理。AFM与XPS的分析结果表明:适当的氟化所起的作用主要为化学作用。氟化可造成Y(3d)与0(1s)两元素的本征峰相对强度减少,甚于消失,而对其它元素则影响不大。该文的研究为利用等离子体氟化YBCO膜形成弱化势垒层提供了初步结果。