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通过对载流子扩散机理的研究,由数学公式的推导,得到陷阱电荷分布随电场变化的函数关系.将由medici模拟得到的3种偏置下SOI的NMOS管埋氧层中的电场分布的数据代入方程式,得到总剂量辐射下的SOI晶体管中的陷阱电荷的分布。得到的数据较好地解释了实验结果。
总剂量辐射下的SOI晶体管中的陷阱电荷分布
【摘 要】
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通过对载流子扩散机理的研究,由数学公式的推导,得到陷阱电荷分布随电场变化的函数关系.将由medici模拟得到的3种偏置下SOI的NMOS管埋氧层中的电场分布的数据代入方程式,得到
【机 构】
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中国科学院,上海微系统与信息技术研究所,上海,200050
【出 处】
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第六届中国功能材料及其应用学术会议
【发表日期】
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2007年期
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