【摘 要】
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GeSn 合金作为如今硅基光电集成领域的热点发光材料,但其由于发光效率的问题以及难以形成高质量的单晶,对于材料生长和器件应用方面还存在诸多困难.本文利用第一性原理以
【机 构】
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中国石油大学(北京)北京市昌平区府学路18 号102249
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GeSn 合金作为如今硅基光电集成领域的热点发光材料,但其由于发光效率的问题以及难以形成高质量的单晶,对于材料生长和器件应用方面还存在诸多困难.本文利用第一性原理以及能带反折叠对GeSn 合金进行了组分调控和应变调控,研究表明,GeSn 的直接带隙组分转变点为8.859％,与实验值9％及其吻合,计算了Ge29Sn3(9.375％)的复介电函数谱、吸收谱、反射谱、折射率谱以及损耗函数谱,均与实验值相近.
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