【摘 要】
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第三代半导体SiC材料在制作高压功率器件方面具有天然的优势.在对SiC器件通用技术介绍的基础上,重点研究了SiC刻蚀工艺技术和SiC肖特基二极管制造技术,并基于四英寸生产线对6
【出 处】
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2017航天先进制造技术国际研讨会
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第三代半导体SiC材料在制作高压功率器件方面具有天然的优势.在对SiC器件通用技术介绍的基础上,重点研究了SiC刻蚀工艺技术和SiC肖特基二极管制造技术,并基于四英寸生产线对600V/10A SiC肖特基二极管进行了研制.结果表明,相比于Si器件,SiC肖特基二极管具有更低的正向压降和更好的高温特性、几乎为零的反向恢复时间和恢复电荷,适用于高压开关电路.特别是在航天领域，在长寿命、高可靠、抗辐射的发展背景下，母线电压的提高和超高压电源的现实需求，使得SiC器件在航天领域具有广阔的应用前景。
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