【摘 要】
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采用三乙基硼(TEB)源,利用LP-MOCVD生长工艺在GaAs(001)衬底上生长一系列的BxAl1-xAs和BxAlyIn1-x-yAs合金.为了得到与衬底晶格匹配的BxAlyIn1-x-yAs合金,首先在实验中生长Bx
【机 构】
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北京邮电大学信息光子学与光通信教育部重点实验室,北京 100876
【出 处】
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第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
论文部分内容阅读
采用三乙基硼(TEB)源,利用LP-MOCVD生长工艺在GaAs(001)衬底上生长一系列的BxAl1-xAs和BxAlyIn1-x-yAs合金.为了得到与衬底晶格匹配的BxAlyIn1-x-yAs合金,首先在实验中生长BxAl1-xAs三元化合物。实验显示,与有碳化硅涂层的石墨舟相比,无碳化硅的石墨舟的生长条件使得实验结果发生了变化。BxAl1-xAs的最佳生长温度变成了610℃,并显示了较高的B的并入比。在610℃的生长环境下,随着TEB摩尔流量的增加,B的并入比由1.296增加到4.7％,但从DCXRDω-20扫描可以看出,BxAl1-xAs半高宽也在增大,即从60.01arcsec增加到237.6arcsec。最后,我们生长了与GaAs衬底匹配的BxAlyIn1-x-yAs材料。从而为解决了大失配外延生长奠定了基础。
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