【摘 要】
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针对980 nm VCSEL单管器件的外延片进行了优化设计,通过将N型DBR的反射率降低到99.3％来提高微分量子效率,设计采用较传统GaAs具有更宽带隙的GaAs0.92 P0.08作为势垒层,使I
【机 构】
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中国科学院苏州生物医学工程技术研究所,江苏苏州215163
【出 处】
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第十届全国激光技术与光电子学学术会议
论文部分内容阅读
针对980 nm VCSEL单管器件的外延片进行了优化设计,通过将N型DBR的反射率降低到99.3％来提高微分量子效率,设计采用较传统GaAs具有更宽带隙的GaAs0.92 P0.08作为势垒层,使InGaAs阱中的载流子得到更好的限制,保证器件在自热效应下也能获得高功率的输出.通过生长具有略小晶格常数的GaAsP补偿InGaAs层中的应力,保证外延片具有较好的晶体质量,提高VCSELs器件的寿命.采用新设计的外延片制作了200、300、400、500和600 μm大孔径单管VCSELs器件,在3A的工作电流下器件的最高室温连续输出功率分别为1.16,1.53,1.66,2.11,2.3 W,与原结构器件的功率相比分别提高了81％,37％,4％,8％和17％,其中200 μm器件的最高输出光功率密度达到了3.69 kW/cm2.
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