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该文采用热刺激电流法研究了ＺｎＯ电压敏陶瓷在脉冲电流作用下微观荷电机构的变化状况，发现高密度脉冲电流或多次脉冲电流作用后，ＺｎＯ电压敏陶瓷的ＴＳＣ峰由正转负，负峰的出现与陶瓷非线性的劣化有一定对应关系，研究认为劣化主要由存在于晶界层中的深能级隐阱引起。脉冲电流作用的次数愈多，脉冲电流密度愈大，电荷在晶界层中注入的越深，深能级隐阱对电荷的捕捉量也越大。ＴＳＣ方法用于ＺｎＯ电压敏陶瓷脉冲老化的研究揭示了新的现象。（本刊录）