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采用共沉淀法制备了Pb2+掺杂的Cd0.2Zn0.8S及Cd0.8Zn0.2S固溶体光催化剂。实验结果表明， Pb2+掺杂的宽带隙固溶体Cd0.2Zn0.8S，其6S轨道与固溶体的价带杂化提升了其价带位置，降低了半导体的带隙，因而提高了产氢活性；Pb2+掺杂窄带隙固溶体Cd0.8Zn0.2S后，形成固溶体价带附近的杂质能级并成为光生电子空穴复合中心，不能提高其产氢性能。因此，Pb2+ 对半导体的可见光改性较适用于较宽带隙的半导体。