掺锗单晶硅中热施主的形成

来源 :中国可再生能源学会2011年学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:formula_lj
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文研究了掺锗直拉单晶硅(GCz)中锗对热施主形成的影响。实验得出普通掺硼直拉单晶硅(Cz)热施主形成激活能为1.4eV,而在GCz 中形成激活能为1.9eV。低温傅里叶红外光谱(FTIR)显示含较高浓度锗(~1019cm-3)的GCz 中热施主不但吸收峰强度降低,而且峰位也发生了蓝移。结果表明GCz 中的锗在硅中引入局部应力,对热施主的形成具有明显的抑制作用。
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