PZN-PZT压电陶瓷电学性能优化研究

来源 :第十三届全国敏感元件与传感器学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:liongliong570
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采用传统固相烧结法制备了Pb(Zn1/3Nb2/3)x(Zro5Ti05)1x03三元系压电陶瓷,研究了不同PZN含量及烧结温度对陶瓷性能的影响.结果表明,在x=0.3,烧结温度为1220℃C,烧结后采用程序控制样品高温降温速率,可获得最优性能:d33=482,εr=2137,tanδ=1.9%,此时相对介电常数εr,压电常数d33体密度均取得最大值,而介质损耗最小.与此同时,结果表明PZN-PZT三元系压电陶瓷具有宽的烧结温度区域,工艺易控制.
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