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本文对场效应晶体管的稳定性进行了计算,分析了两种不同的稳定电路结构的特点。以0.18μm Ga As PHEMT工艺为基础,以12GHz-18GHz低噪声放大器应用为背景,研究了两种不同结构的低噪声放大器稳定性电路,并对这两种电路的主要指标进行了仿真验证。对比结果表明,并联反馈结构的的低噪声放大器稳定性和增益更优异。