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电致发光(Electroluminescence,EL)从原理上可以分为高场电致发光和低场电致发光,其中低场电致发光又称为注入式发光,主要是指基于p-n结的被广泛应用的半导体发光二极管(LED).无论是从基础研究,还是具体应用出发,都有必要研究开发区别于传统电致发光机理的发光器件.在本工作中,我们采用脉冲激光沉积方法在Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3(PMN-PT)衬底上制备了ZnS：Mn 薄膜.在ZnS：Mn/PMN-PT的薄膜器件中,发现了不同于传统电致发光机理的电致发光现象.PMN-PT单晶衬底具有高的压电和机电耦合系数.在电场作用下,PMN-PT 的逆向压电效应在与ZnS：Mn 的界面处会产生相当大的应力.器件发光层ZnS：Mn 作为不对称的纤锌矿材料具有压电性质,其在应力作用下,会产生具有极性的压电势.电场作用下的ZnS：Mn/PMN-PT 通过应力引起的压电势来触发和调节电致发光性能.这种基于新颖发光机理的器件的发光性能与外加交流电压的强度和频率有很强的依赖关系,工作频率可达兆赫兹.我们在ZnS：Mn/PMN-PT薄膜器件同时检测到电致发光和超声波发射.这一同时集成光学和超声波的双模式发射器件为将来发展光学、超声多模式探测装置有潜在的研究价值.