NICP刻蚀设备及工艺研究

来源 :第十届全国电子束、离子束、光子束学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:chessinge
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介绍了一种高速干法刻蚀设备NICP-1型机。在该机上研究了硅的深腐蚀工艺,其腐蚀速率可达3μ/min,硅与光刻胶刻蚀速率比达到125:1,可满足微机械加工的需要。
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