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为了设计用于监测D-T中子产额的反冲质子望远镜系统，采用MCNPX程序模拟了14MeV中子在不同厚度的聚乙烯膜上产生的反冲质子的产额、能谱及角分布。通过对反冲质子的产额、能谱和角分布数据的分析。给出了用于D-T中子产额监测的反冲质子望远镜系统的聚乙烯膜最佳厚度和探测器放置位置。A
D-T中子源中子产额测量的反冲质子望远镜系统的模拟研究
【摘 要】
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为了设计用于监测D-T中子产额的反冲质子望远镜系统，采用MCNPX程序模拟了14MeV中子在不同厚度的聚乙烯膜上产生的反冲质子的产额、能谱及角分布。通过对反冲质子的产额、能谱
【机 构】
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兰州大学核科学与技术学院，兰州730000
【出 处】
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第十届全国蒙特卡罗方法及其应用学术会议
【发表日期】
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2009年5期
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