【摘 要】
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采用高温固相法合成了暖白光LED用Sr3B2O6∶Eu2+黄色荧光粉,Sr3B2O6∶Eu2+荧光粉的晶体结构为斜方六面体Sr3B2O6.荧光粉的激发光谱是由激发主峰位于469nm的宽带谱组成,这
【机 构】
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长春理工大学光电功能材料教育部工程研究中心 长春130022
【出 处】
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中国稀土学会玻陶专委会2012年会
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采用高温固相法合成了暖白光LED用Sr3B2O6∶Eu2+黄色荧光粉,Sr3B2O6∶Eu2+荧光粉的晶体结构为斜方六面体Sr3B2O6.荧光粉的激发光谱是由激发主峰位于469nm的宽带谱组成,这使得该荧光粉适合GaN基蓝光芯片激发.荧光粉的发射光谱是由峰值位于566nm的宽带谱组成,对应于Eu2+典型的4f5d1-4f7跃迁.通过高斯单峰拟合了该发射光谱,结果表明其发射主峰位于575nm,结合CIE图确定该峰值恰好为荧光粉的主波长.白光LED的CIE坐标为x=0.389,y=0.419,对应的相关色温为4044K,利用该荧光粉制备的白光LED呈现暖色调.白光LED的发光效率高于己报道达到181m/W.
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