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本文首次采用Cl2/CH4/N2作为刻蚀气体,系统地研究了感应耦合等离子体干法刻蚀过程中工艺参数对InP材料端面刻蚀的影响.通过优化工艺参数,获得了光滑垂直的InP刻蚀端面,刻蚀速率达到841nm/min,与SiO2的选择比达到15∶1.
Cl2/CH4/N2感应耦合等离子刻蚀InP端面的研究
【摘 要】
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本文首次采用Cl2/CH4/N2作为刻蚀气体,系统地研究了感应耦合等离子体干法刻蚀过程中工艺参数对InP材料端面刻蚀的影响.通过优化工艺参数,获得了光滑垂直的InP刻蚀端面,刻蚀速
【机 构】
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武汉邮电科学研究院,武汉,430074
【出 处】
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第三届中国光纤器件发展研讨会
【发表日期】
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2006年期
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