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MoS2纳米片由于独特的层状结构、光电以及催化特性,近年来引起了人们广泛重视.然而,由于固有的能带结构(带隙1.8eV),MoS2基光电器件对大于680nm波长的光几乎没有响应性.
NaYF4∶Yb,Er-MoS2复合材料的合成、改性与红外光响应性
【摘 要】
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MoS2纳米片由于独特的层状结构、光电以及催化特性,近年来引起了人们广泛重视.然而,由于固有的能带结构(带隙1.8eV),MoS2基光电器件对大于680nm波长的光几乎没有响应性.
【机 构】
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大连理工大学精细化工国家重点实验室,大连市凌工路2号,116024
【出 处】
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中国化学会第30届学术年会
【发表日期】
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2016年期
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