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采用自行设计的微波ECR辅助原子层沉积装置,以三甲基铝作为前躯体,分别使用水和氧气作为氧源,在单晶硅上进行原子层沉积氧化铝薄膜的实验研究。当使用水蒸气为氧源沉积氧化铝时,基片台的温度分别为60、90、120、150、180℃。当使用氧等离子体为氧源沉积氧化铝时,基片台的温度分别为120、150℃。利用原子力显微镜、扫描电子显微镜等对沉积的氧化铝薄膜进行微观结构的表征,比较了两种不同方法沉积氧化铝的结构和性能。