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利用密度泛函理论的平面波赝势方法研究了氧化锆掺杂氧化钇后其性质的变化并计算了其缺陷形成能和电子结构等.计算结果表明:钇掺杂氧化锆(YSZ)和氧化锆+2价氧空位具有相似的形成能,它们的电子态密度也很相似.+2价氧空位的氧化锆活化能比钇掺杂氧化锆(YSZ)的低.在掺入了Y离子后,虽然形成了稳定的掺杂体系,如YSZ和+2价的氧空位,但是原有的离子扩散性降低了,通过掺入其他离子如Sc,对比掺杂前后的性质,得出掺杂元素离子半径越接近被替换元素的离子半径,体系的离子导电性越强.