前驱溶液调控实现高性能铜锌锡硫硒太阳能电池

来源 :第八届新型太阳能材料科学与技术学术研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:hongmaomi
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
  基于巯基乙酸-水体系的铜锌锡硫硒(CZTSSe)薄膜呈现出双层结构,“上层大晶粒层,下层细晶粒层”.其中上层薄膜质量会直接决定CZTSSe太阳能电池的光电转换性能,如何降低上层CZTSSe薄膜的起伏以及正面孔洞就成为进一步提升器件性能的关键.本文系统研究了前驱溶液性质包括溶液浓度、元素配比等对上层CZTSSe薄膜结晶形貌的影响.研究结果表明,前驱体溶液浓度会显著影响薄膜硒化结晶的成核和结晶过程.在最优的元素配比下,提高前驱溶液浓度可以使得前驱薄膜在硒化过程初期拥有更多的成核位点,有效延缓硒化结晶过程,利于获得致密平整的CZTSSe薄膜,同时缓解元素流失.进一步结合硒化条件的优化,我们实现了光电转化效率高达13.45% (12.19%全面积效率)的CZTSSe太阳能电池.
其他文献
Nonfullerene PM7∶IT-4F organic solar cells (OSCs) were prepared and the influence of binary solvent on the photoelectric performance was investigated.The introduction of second solvent dichloromethane
The performance of kesterite Cu2ZnSn(S,Se)4 (CZTSSe) thin films solar cells is limited mainly because of the two technical bottlenecks,including multilayer crystallization in non-hydrazine solvents,an
硒化锑(Sb2Se3)作为极具潜力的高性能薄膜太阳电池吸收层材料,其电池器件转换效率近年内迅速提升(目前最高效率9.2%).然而,严重的开路电压损耗是目前制约Sb2Se3薄膜太阳电池进一步发展的主要瓶颈.当前高效率Sb2Se3电池器件的开路电压普遍都在400 mV左右,远远低于其S-Q极限值(小于极限值的50%).近期,本课题组采用磁控溅射制备Sb金属预制层,并结合后硒化工艺制备[hk1]择优柱状
由于吸收层单相区狭窄,溅射后硒化制备铜锌锡硫锡(Cu2ZnSn(SxSe1-x)4,CZTSSe)薄膜过程中,由于吸收层的单相区狭窄,因此获得单一成分和相组成的CZTSSe一直是一个挑战.多种二次相和带电缺陷都会引起CZTSSe电池器件的吸收光谱截至波长处出现严重的拖尾现象,进而导致较高的开压损失.本文从吸收层带尾态控制的角度,分析了退火温度和气氛对吸收层电学性能以及电池器件性能的影响机制.提高硒
锌黄锡矿结构的Cu2ZnSn(S,Se)4(CZTSSe)由于其组成元素丰富且环境友好,溶液法制备效率较高,将有望成为高性能且商业应用价值较高的光伏材料.辛灏课题组在DMSO溶剂体系中实现了12.4%的高效率,然而制备的CZTSSe薄膜表面仍存在一些孔洞.据报道在碘铅铯(CsPbI3)钙钛矿前驱体中加入一定量的碘化铵(NH4I)可以改善薄膜结晶性,增大晶粒尺寸.研究还发现带负电的间隙碘离子会增加M
近年来,由于CZTSSe薄膜带隙可调,光吸收系数高,元素丰度高且无毒等优点,是一种理想的太阳能电池吸收层材料.溶液法因其制备过程能耗低,操作简单,易控制等优势被研究者们所广泛关注,与真空法一样被认为是可以制备高效率太阳能电池的有效方法.然而,CZTSSe/Mo界面优化一直是限制其效率进一步提升的关键因素之一.在溶液法常用溶剂中,DMF溶剂为铜、锌、锡等元素的金属氯化物带来了良好的溶解性,但是背接触
Cu2ZnSn(S,Se)4 (CZTSSe) semiconductor,owing to the good photoelectric properties and earth-abundant element composition,is one of the most promising light absorption materials for solar cells.To date,
铜锌锡硫硒(CZTSSe)薄膜太阳能电池由于其元素丰度大、环境友好、带隙合适、吸光性能优异等优点,近年来受到广泛关注且发展迅猛.目前,此类电池的最高效率为12.6%,如何进一步提升器件性能是现阶段的研究重点.在众多影响因素中,吸收层结晶质量及其形貌是影响器件性能的关键.本研究基于溶液法,通过调节配体与金属盐的比例获得了高质量的CZTSSe吸收层,并实现了吸收层形貌的精确调控.研究表明,随着配体与金
Crystallographic orientations play a crucial part in photoelectric properties of crystalline materials.This paper reported significant enhancement of photoelectric properties in γ-phase copper silver
高温硒化过程中,铜锌锡硫硒(CZTSSe)吸收层易出现相分解,造成严重的Sn组分偏移.而Sn相关深能级缺陷是造成CZTSSe电池较大开压损耗的主因,所以合理调控Sn组分十分必要.本研究通过在前驱膜的高温硒化过程中引入适量SnS,在一定程度上抑制了Sn的流失;同时,我们发现SnS/Se共硒化能够实现对CZTSSe吸收层S/Se比的调节.此外,硫的引入能有效抑制MoSe2的生成.最终我们获得了效率为1