【摘 要】
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作为新一代高速、高密度、非易失性存储器的有力竞争者,阻变存储器在近些年受到了广泛关注,其中基于金属导电细丝的阻变存储器因其优异性能而备受瞩目。根据经典的电化学理论
【机 构】
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清华大学材料学院先进材料教育部重点实验室;
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作为新一代高速、高密度、非易失性存储器的有力竞争者,阻变存储器在近些年受到了广泛关注,其中基于金属导电细丝的阻变存储器因其优异性能而备受瞩目。根据经典的电化学理论,金属导电细丝在阻变存储器中应当由惰性电极向活性电极生长,并且已经在基于硫族化合物的器件中得到验证[1]。但是,我们通过实验证实,铜导电细丝在Cu/P3HT:PCBM/ITO器件中由活性电极向惰性电极生长,对经典理论提出了挑战[2]。随后,我们在Ag/PEDOT:PSS/Pt器件中观察到了一种全新的金属导电细丝生长模式,即银导电细丝首先在惰性电极和活性电极之间的区域形核,然后核心逐渐长大并连通,最终扩展成为银导电细丝[3]。为了合理地解释实验上观察到的各种金属导电细丝生长模式,我们采用动态蒙特卡洛的方法对金属导电细丝的生长进行了模拟,认为金属导电细丝的生长模式是由形核激活能和迁移激活能之间的相对大小来控制的[1]。该模型可以合理地解释实验上观察到的各种金属导电细丝生长模式,推进了我们对基于金属导电细丝的阻变存储器的阻变机理的认识,并有望对相关器件性能的提高提供理论上的指导。
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