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该文简单介绍了在研究人员研制的离化团束沉积实验装置上进行的活性离化团束沉积实验，硅片上进行的活性沉积AIN薄膜的歇电子能谱分析表明，AIN的含量约为12℅。活性沉积薄膜的AFM图象表明其表面粗造度的均方根值为0.293nm。
活性离化团束沉积的研究
【摘 要】
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该文简单介绍了在研究人员研制的离化团束沉积实验装置上进行的活性离化团束沉积实验，硅片上进行的活性沉积AIN薄膜的歇电子能谱分析表明，AIN的含量约为12℅。活性沉积薄膜的AF
【出 处】
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中国核学会第十二届青年学术讨论会
【发表日期】
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1999年5期
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