【摘 要】
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众所周知，磁性材料的磁电阻可以在1mT 的低磁场下达到 600％，而半导体材料的磁电阻虽然可以高达 10000％，但是需要几十mT 的较大的磁场，能否在1mT 的低磁场下达到10000％的超大磁阻？我们结合磁性材料的反常霍尔效应和半导体二极管的非线性效应，在PMA 材料(Ta/CoFeB/MgO)上制备了磁电阻器件，该器件在1mT 磁场下实现了高达22000％的超大磁阻[1]，其磁灵敏度达到了1.
【机 构】
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清华大学材料学院,北京 100084
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众所周知，磁性材料的磁电阻可以在1mT 的低磁场下达到 600％，而半导体材料的磁电阻虽然可以高达 10000％，但是需要几十mT 的较大的磁场，能否在1mT 的低磁场下达到10000％的超大磁阻？我们结合磁性材料的反常霍尔效应和半导体二极管的非线性效应，在PMA 材料(Ta/CoFeB/MgO)上制备了磁电阻器件，该器件在1mT 磁场下实现了高达22000％的超大磁阻[1]，其磁灵敏度达到了1.7×105％/mT.
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