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通过磁控溅射技术制备了CdS窗口层多晶薄膜和CdTe吸收层多晶薄膜,研究了不同CdS退火工艺对CdTe太阳能电池性能的影响.研究结果表明,通过CdS冷处理,CdS的晶体结构没有发生变化,仍然为没有经过冷处理的六方结构,经过冷处理后,CdS多晶薄膜的结晶质量得到了提高,多晶薄膜的表面覆盖度得到了改善,晶粒尺寸增大,CdTe太阳能电池的开路电压、转化效率得到了提高.通过CdS冷处理,利用低温射频磁控溅射技术制备的CdS多晶薄膜经过冷处理后,与CdS没有经过冷处理的CdTe多晶薄膜电池的转化效率和开路电压都得到了明显的提高,转化效率达到了13.31％,开路电压达到了828 mV.