【摘 要】
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研究了8mol﹪YO掺杂ZrO(8YSZ)材料微波烧结陶瓷在300~850℃温度范围内的交流复阻抗谱,获得了该材料的温度-离子电导率曲线,并与常规烧结的陶瓷体进行了比较.结果发现8YSZ的微波
【机 构】
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中国科学院新疆理化技术研究所(新疆乌鲁木齐)
【出 处】
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第五届中国功能材料及其应用学术会议
论文部分内容阅读
研究了8mol﹪Y<,2>O<,3>掺杂ZrO<,2>(8YSZ)材料微波烧结陶瓷在300~850℃温度范围内的交流复阻抗谱,获得了该材料的温度-离子电导率曲线,并与常规烧结的陶瓷体进行了比较.结果发现8YSZ的微波烧结陶瓷的晶界势垒在550℃被击穿,常规烧结陶瓷的晶界势垒在500℃被击穿.击穿后晶界电阻消失,离子电导率的变化主要由晶粒电导率的变化决定.在击穿温度点以下,陶瓷体的离子电导率随温度的升高呈波浪式上升,即曲线呈上升~下降~上升趋势.
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