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Improvement of crystal quality HVPE grown GaN on an H3PO4 etched template
【机 构】
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Corresponding author, State Key Lab of Crystal Materials, Shandong University,Jinan, 250100, P.R. Ch
【出 处】
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第十六届全国晶体生长与材料学术会议
【发表日期】
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2012年8期
其他文献
本文数值模拟研究了可控热导出法蓝宝石晶体生长不同阶段的热场、流场及固液界面分布.模拟计算结果表明,在晶体生长的不同阶段热浮力驱动的涡流主导着蓝宝石熔体流动,并且由初期的三对涡流减少到后期的一对涡流.在晶体生长的不同阶段固液界面始终凸向蓝宝石熔体,但各阶段固液界面凸度有所不同.
会议
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InP具有高电光转换效率、强抗辐射能力、易于制成半绝缘材料、作为太阳能电池材料的转换效率高等优点.这些特性决定InP材料在固态发光、微波通信、光纤通信、卫星等民用和军事领域的应用十分广阔.
:在室温下通过施加单轴应变,采用反射差分光谱观察到半绝缘GaAs 的平面内光学各向异性.我们发现随着单轴应变的增加,E0 和E0+D0,E1 和E1+D1[1]附近的光学各向异性增加.
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