【摘 要】
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用电沉积的方法实现铜在芯片上高深宽比的刻槽中的超等角填充具有独特的优势.要保证微纳米尺寸的电沉积铜线性质的连续性,选择合适的能提高镀液深镀能力的添加剂是关键。作为
【机 构】
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重庆大学资源及环境科学学院,重庆,400044
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用电沉积的方法实现铜在芯片上高深宽比的刻槽中的超等角填充具有独特的优势.要保证微纳米尺寸的电沉积铜线性质的连续性,选择合适的能提高镀液深镀能力的添加剂是关键。作为电沉积法实现铜超等角填充的关键添加剂,聚乙二醇(PEG),Cl<->,和聚二硫二丙烷磺酸钠(SPS)已经受到人们广泛关注,但是这些研究主要在于探讨PEG，Cl<->,和SPS对铜电沉积实现超等角填充的作用,而对其电结晶过程行为没有予以足够的重视。本文应用循环伏安(CV)和计时安培法(CA)研究了上述添加剂作用下的铜电结晶行为。
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