铱(111)表面外延生长石墨烯的硅和铪插层

来源 :中国物理学会2013年秋季学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:noonbird
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  石墨烯以其独特的晶体结构和优异的电学、磁学、光学和力学性能成为当前的研究热点。过渡金属表面外延生长法被证明是制备大面积、高质量石墨烯的途径之一。然而,石墨烯和其金属基底之间的电子轨道耦合对石墨烯的本征电子结构有较大的影响,不利于对石墨烯本征电子性质的研究和基于石墨烯的电子学应用。
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