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实验研究了AZ9260正性光刻胶制作深浮雕连续非球面(双曲线)微透镜阵列的光刻工艺,给出了抗蚀剂厚度为17.75μm和35.49μm,石英刻蚀深度分别为35.05μm和72.36μm的最佳光刻工艺参数.提出了采用低温长时间前烘和连续升温后烘方法实现面型控制.并采用扫描电子显微镜(SEM)和表面轮廓测试仪测试了所制微透镜的表面微结构形貌.