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会议论文
单层碳纳米管低温电阻的理论估算
单层碳纳米管低温电阻的理论估算
来源 :第四届中国功能材料及其应用学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:puweiaipk1
【摘 要】
:
依据Boltzmann方程、碳纳米管π电子能量的石墨近似关系以及弱局域化理论,估算出单层碳纳米管(SWNTs)的低温电阻,这些理论值与典型的实验数据相比较表明:对于近金属和半导体
【作 者】
:
张振华
长沙交通学院信息与计算科学系(湖南长沙)
彭景翠
【机 构】
:
湖南大学应用物理系(湖南长沙)
【出 处】
:
第四届中国功能材料及其应用学术会议
【发表日期】
:
2001年期
【关键词】
:
单层碳纳米管
低温电阻
实验值
石墨近似关系
理论值
实验数据
弱局域化
金属
电子能量
计算值
比较表
体型
估算
方程
半导
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依据Boltzmann方程、碳纳米管π电子能量的石墨近似关系以及弱局域化理论,估算出单层碳纳米管(SWNTs)的低温电阻,这些理论值与典型的实验数据相比较表明:对于近金属和半导体型SWNTs,计算值与实验值大体符合,而对于金属SWNTs型(椅形SWNTs),理论值与实验值非常接近.
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