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目前，二维材料光电极主要是通过将液相剥离的样品旋涂于导电衬底而制得。本文，我们通过改良的化学气相沉积法直接在导电衬底上首次实现了可控制备大规模垂直生长的SnS2纳米片。
垂直二维SnS2纳米的可控生长及其高效的光电分解水性能
【摘 要】
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目前，二维材料光电极主要是通过将液相剥离的样品旋涂于导电衬底而制得。本文，我们通过改良的化学气相沉积法直接在导电衬底上首次实现了可控制备大规模垂直生长的SnS2纳米片。
【机 构】
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微系统与微结构教育部重点实验室,哈尔滨工业大学,哈尔滨市南岗区一匡街2号哈工大科学园,150080;化工与化学学院,哈尔滨工业大学,哈尔滨市南岗区西大直街92号,150001
【出 处】
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中国化学会第30届学术年会
【发表日期】
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2016年7期
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