紫外探测是一种在紫外波长光照射下对半导体材料的光电流信号进行探测,主要是测试材料在紫外光下的光电响应,因此紫外光电响应测试也可称之为紫外探测.随着社会的发展,紫外探测的应用已经遍及了包括环保、医学、军事等工作和生活的各个角落[1],这些光电探测已成为目前先进半导体光电子信息探测非常重要任务之一,因而备受社会各方面的广泛关注.其中,由于臭氧层的吸收波长是在220 ～ 280 nm的范围,导致太阳辐射在12km以下的低空极其微弱,被称为太阳辐射盲区或日盲区.在背景相对洁净的日盲区,处在此波长范围内的紫外辐射很容易被检测出来.同时,由于避免了日间太阳光对紫外探测器的干扰,也使得该类器件能对地表紫外辐射源进行灵敏探测,信息处理的负担也明显减轻了.在军事方面,导弹的高温羽烟产生的辐射以及未燃尽燃料的化学反应导致的辐射,在太阳盲区波段进行探测和预警,虚警率很低,并且预警距离为5～10km,能够为飞行员提供的预备时间.在工业生产方面,对高压输电设备的漏电探测及明火探测,都有重要的应用.紫外探测的核心是紫外探测器件,特别是体积小、功耗小、工作电压低以及灵敏度高的固体型紫外探测器,逐步成为紫外探测器件应用的关注焦点.GaN和ZnO是一种重要的宽禁带半导体,其禁带宽度(约3.3 eV),因此是理想的紫外探测的材料.在固体型日盲紫外探器中,AlGaN半导体材料随Al组分的增加,禁带宽度在3.4 ～ 6.2 eV之间连续可调(对应波长范围为200 ～ 365 nm),是日盲紫外探测器的理想材料.然而,Ⅲ族氮化物生长过程极为复杂,并且随着Al组分的增加,因Al原子和Ga原子的迁移率不同,不仅可能出现组分不均一,而且材料中的位错密度较高,这些因素严重制约着AlGaN材料为基础的器件性能.在过去的几年里,国际和国内都在积极探索研制各种类型GaN基和ZnO基的紫外探测,在各方面均取得了不小的进展[3 ～ 31].与GaN基材料相比,室温下带宽为3.4eV的ZnO基材料由于制备方便、方法多样、价格低廉更具有吸引力、更具备实用价值,而备受关注我们利用上述两种类型的紫外探测材料制备出了不同结构的探测器,结合一系列相关地包括测试了探测嚣的电流-电压特性和光电响应,材料的光学特性测试深入地研究了结构设计和制备条件等影响因素.测试结果表明,探测器的响应特性强烈依赖于结构的选择,同时工艺制备条件也起到了至关重要的作用.制备出的探测器的紫外波长的探测峰位响应与可见光响应比值可在达,同时深紫外和近紫外波长峰值比也可进行调整,即尺寸相同的探测器不仅在355纳米出现响应,而且可调整到250纳米处.此结果指出适当选择制备条件可以制备出深紫外增强型的探测器.