【摘 要】
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本文提出了一种可用于5G手机终端的双极化基片集成波导背腔缝隙天线阵列。通过在正方形基片集成波导上刻蚀辐射缝隙的方式,可以克服缝隙天线双向辐射的固有缺点,实现单向辐射,这对5G手机终端毫米波天线增益的提高是非常重要的。为了实现简单的馈电,本文将缝隙天线设计为沿±45°方向的十字交叉形状,通过分别对每个缝隙馈电来实现天线的双极化,这能够极大地降低天线之间的互耦。本文提出的双极化缝隙天线的工作频率范围为
【机 构】
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2019年全国天线年会论文集（中册）
【出 处】
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2019年全国天线年会论文集（中册）
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本文提出了一种可用于5G手机终端的双极化基片集成波导背腔缝隙天线阵列。通过在正方形基片集成波导上刻蚀辐射缝隙的方式,可以克服缝隙天线双向辐射的固有缺点,实现单向辐射,这对5G手机终端毫米波天线增益的提高是非常重要的。为了实现简单的馈电,本文将缝隙天线设计为沿±45°方向的十字交叉形状,通过分别对每个缝隙馈电来实现天线的双极化,这能够极大地降低天线之间的互耦。本文提出的双极化缝隙天线的工作频率范围为27.82～28.17GHz,单个天线的可实现增益为5.7 dB,而1×4阵列的最大增益为12.1 dB。
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