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本文论述了基于0．18μm GaAs PHEMT工艺的超宽带单片有源二倍频器的设计,其电路结构包含了有源巴仑、倍频以及宽带放大器三个部分。在2-25GHz的输入频率下,当输入功率为0dBm时,实现了约7- 10dBm的二次谐波输出,基波抑制度也达到了20dBc以上。直流供电电流约100mA,功耗仅约500mW。