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InP系量子阱材料阱的捕获效率研究
【机 构】
:
吉林大学
【出 处】
:
第四届全国固体薄膜学术会议
【发表日期】
:
1994年期
其他文献
该文用人工污秽试验方法研究了四种悬式绝缘子在360~760mmHg气压范围内的交流污闪特性。绝缘子污闪电压随气压降低而降低。低气压下染污绝缘子沿泄漏路径临界闪络薪梯与临界泄