高性能SiCpAl電子封裝殼體的近終成形研究

来源 :2009海峡两岸粉末冶金学术研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:lulu6661125
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采用粉末注射成形制备SiCp预成形坯体和Al合金熔渗相结合的技术实现了高性能SiCp/A1电子封装壳体的近终形成形,壳体尺寸精度优於0.3%。注射成形制备SiCp预成形坯体的最佳参数为注射温度160℃,注射压力70MPa,脱脂并经1100℃,7h小时真空预烧结,最终可以获得强度为4MPa,开孔孔隙率高於98%的SiC预成形坯体。熔渗工艺中需要严格控制熔渗时间,熔渗时间过长会导致坯体被Al熔体过度熔浸,在复合材料表面产生Al合金屑,Al合金层厚度随保温时间的延长而增加。所制备的SiCp/Al复合材料封装壳体的热物理性能优异,热膨胀系数为7.2×10-6k-1,热导率为180(W/m·K)’密度为3.00g/cm3,能够满足电子封装对材料性能的要求。
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