【摘 要】
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联噻吩和/或并噻吩是OFET材料的重要结构单元.我们通过选择性的活化芘环的不同位点,成功合成了一系列硫桥芘-苯并噻吩(PTAs)并对它们的晶体结构和光电性质进行了充分的研
【机 构】
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晶体材料国家重点实验室,山东省济南市山大南路27号山东大学,250100
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联噻吩和/或并噻吩是OFET材料的重要结构单元.我们通过选择性的活化芘环的不同位点,成功合成了一系列硫桥芘-苯并噻吩(PTAs)并对它们的晶体结构和光电性质进行了充分的研究.含有一个硫原子的三个位置异构体的空穴迁移率均在 10-3cm2/Vs 数量级,其中[3,4-]位芘衍生物(4-S-PTA)光谱红移最明显,荧光量子产率(0.6)最高,分子间π-π堆积最强,迁移率也最高[1].进一步的研究表明,含有并噻吩结构的双硫化合物2-S-S-PDTA比单硫化合物的迁移率提高接近一个数量级,初测结果即达到1.8×10-2 cm2/Vs.
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