低磁场条件下Gd5(Si1-xGex)4(x=0,0.2,0.3)合金磁热效应研究

来源 :第六届中国功能材料及其应用学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：aaasdna123

【摘要】

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用高频真空悬浮炉在氩气保护下制备了Gd5(Si1-xGex)4(x=0,0.2,0.3)系列样品,用直接测量方法测定了在永磁体提供的低磁场(H=1.3T)条件下样品的磁热效应曲线(△Tab-T)。结果表

【作者】

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倪利勇王贵赵仑赵娟施锡鹏刘金荣徐来自黄焦宏金培育陈明李保卫

【机构】

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广东海洋大学,工程学院,广东,湛江,524088

【出处】

：

第六届中国功能材料及其应用学术会议

【发表日期】

：

2007年期

【关键词】

：

低磁场合金磁热效应系列样品氩气保护效应曲线居里温度测量方法永磁体悬浮炉真空增强原子元素高频峰值测定材料

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用高频真空悬浮炉在氩气保护下制备了Gd5(Si1-xGex)4(x=0,0.2,0.3)系列样品,用直接测量方法测定了在永磁体提供的低磁场(H=1.3T)条件下样品的磁热效应曲线(△Tab-T)。结果表明,用元素Ge分别替代Gd5Si4合金中的Si原子,不能增强合金的磁热效应,但可在333～300K范围改变材料的居里温度,且磁热效应峰值范围变宽.

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