钒掺杂孔洞空壳二氧化钛的制备及光催化性能研究

来源 :2016年全国冶金物理化学学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:banlangen
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
  以硫酸氧钛为钛源,偏钒酸钠为掺杂离子前驱体,尿素为形貌控制剂,通过水热法直接一步合成钒掺杂孔洞空壳TiO2(V/TiO2)光催化剂,并且采用X 射线衍射(XRD),扫描电镜(SEM),X 射线能量色散谱(EDS),紫外-可见吸收光谱(UV-Vis)等技术对样品进行表征,选择甲基橙(MO)作为目标降解物,对V/TiO2 的光催化性能进行了研究。
其他文献
由于容量快速衰减以及倍率性能较差等原因,富锂锰基正极材料Li[Li0.2Mn0.54Ni0.13Co0.13]O2 在实际生活中难以得到大规模的推广应用.为了解决以上问题,本文以Zn、Mg 为掺杂元素,利用液相共沉淀法合成了材料Li[Li0.2Mn0.54-x/3Ni0.13-x/3Co0.13-x/3Znx/2Mgx/2]O2(x=0,0.01,0.03,0.05),研究了不同共掺杂量对形貌、结
以纳米硅为原料,通过液相固化与高温热解法,采用多碳相协同包覆纳米硅制备锂离子电池负极材料。采用酚醛树脂对纳米硅进行预包覆,随后在液相中与石墨烯均匀复合得前躯体,经过热解破碎制备硅碳复合材料。对材料组成、结构、形貌和电化学性能进行分析,结果表明:酚醛树脂热解后可以在纳米硅表面形成一层均匀碳层,该碳层该表硅表面活性,提高其分散性。
探讨了三种不同加料顺序对共沉淀法制备CoMoO4 前驱体的影响,以此为原料,采用溶胶凝胶法合成CoMoO4.借助X 射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)等手段表征所制备的材料的结构和形貌,通过充放电仪测试了其电化学性能.结果 表明:向钼酸钴溶液中加入硝酸钠制备前驱体、再用溶胶凝胶法制备的CoMoO4 其首次充电比容量为1082.775 mAh/g,经50 次循环后容量保持率达到60.5%
为了改善硅基材料的循环性能,将硅预先用聚多巴胺包覆,再加入氧化石墨烯,经过高温热解过程,制备得到硅碳负极材料.该负极材料在1A/g 的电流密度下,首次库伦效率为80.3%,经过50 次循环后的可逆容量保持率为55.3%.石墨烯的加入不仅提高了电极的导电性,而且减缓了充放电过程中因硅的体积效应而引起的结构衰变.
氮与钒的交互作用增加微合金钢中起关键作用的晶粒细化和沉淀强化效果。美国最早开始研究同时含有钒和氮两种元素、又能在生产中方便使用的合金-氮化钒。如钒铁是钢铁第一代钒的添加剂,氮化钒则为第二代钒氮添加剂。然而与钢液密度相比,氮化钒密度偏低,易浮在钢液表面氧化烧损,致使钒的收率降低,其熔化温度又较钒铁高160℃左右,在钢的合金化过程中加入、微调成分时受到限制。
通过双电层电容的方法来研究磷配体在金电极表面上的吸附动力学和替换过程。结果 表明,磷配体的吸附包含快速吸附和慢速吸附两个过程,PPh3分子在金电极上的覆盖度大于THPO分子,通过Langmuir吸附等温式对快速吸附阶段进行一级吸附动力学拟合,获得PPh3 和THPO 分子的吸附动力学常数。
铅及铅合金作为一种耐蚀性良好的材料,可以应用于电化学冶金及电池工业,目前有着非常广泛的应用.本文以纯铅阳极为研究对象,在镀铬液制备了氧化膜,并利用XRD,SEM 以表征,确定了氧化初期氧化膜中的主要成分为PbCrO4.确定了PbCrO4 在铅阳极表面的成核方式为首先为3D 瞬时形式成核后扩散生长的,当达到最大电流值后以3D 连续成核扩散方式生长.
(1)采用一步光化学法在常温下的水溶液中成功制备出粒径分布均匀的IrOx 纳米颗粒,阐明了光照的时间以及入射光波长对IrOx 纳米颗粒生长速率的影响规律,确定了可以促进IrOx 纳米颗粒生成的临界波长。
SnO2 作为一种宽禁带半导体气敏材料,可以用来检测各种还原性、可燃性气体,目前有着非常广泛的应用.本文以溶胶凝胶法制备纳米二氧化锡,并利用X 射线衍射和比表面积分析仪对产物进行表征,检测了SnO2 的气敏性能.结果 表明,溶胶凝胶法合成了晶粒尺寸在6~25 nm 之间的四方金红石结构的SnO2.随着SnCl4 浓度与滴定终点pH 值的增加,SnO2 的晶粒尺寸先减小后增加.
带负电荷的Zintl 聚阴离子,如后过渡金属阴离子Pb94-、Sb73-及半金属阴离子Ge94-等,与金属阳离子的化学性质不一样,它们在自然条件下很不稳定,遇到空气中的水分子或O2 分子就迅速被氧化。一种基于Zintl 化合物化学合成及氧化用于制备半导体纳米功能材料的方法吸引了人们的关注。而利用阴极腐蚀法在季铵盐DMF 溶液中制备Zintl 化合物,与常规化学法相比,具有工艺灵活、成本低及效率高等