【摘 要】
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本文采用直流反应磁控溅射方法在轧制辅助双轴织构Ni-5 at％W基带上,通过研究基片温度对CeO2种子层生长取向的影响,成功制备出可用作第二代高温超导带材过渡层的高质量CeO2种子
【机 构】
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电子薄膜与集成器件国家重点实验室,电子科技大学,成都,60054
【出 处】
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2006年全国博士生学术论坛——材料科学分论坛
论文部分内容阅读
本文采用直流反应磁控溅射方法在轧制辅助双轴织构Ni-5 at％W基带上,通过研究基片温度对CeO2种子层生长取向的影响,成功制备出可用作第二代高温超导带材过渡层的高质量CeO2种子层薄膜。采用相同的工艺条件生长YSZ中间层和CeO2模版层,得到CeO2/YSZ/CeO2三层缓冲层结构,所有缓冲层薄膜均为(001)方向生长,并存在很强的面外织构;XRD极图显示具有良好的面内织构,二次离子质谱证实了缓冲层对金属以及氧扩散进行了有效的抑制,原子力显微镜表征缓冲层表面连续平整,颗粒致密无裂纹。高质量的缓冲层为进一步在其上外延高质量的YBa2Cu3O7-δ涂层导体提供了很好的模板。
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