【摘 要】
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高铝碳化硅材料由于其优异的荷重软化温度、抗热震性、耐磨性和抗侵蚀性在水泥窑得到了大规模的应用.在烧成制备高铝碳化硅砖过程中,材料中碳化硅组分氧化形成的二氧化硅与基
【机 构】
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武汉科技大学,材料与冶金学院,耐火材料与高温陶瓷国家重点实验室培育基地,武汉430081,中国
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高铝碳化硅材料由于其优异的荷重软化温度、抗热震性、耐磨性和抗侵蚀性在水泥窑得到了大规模的应用.在烧成制备高铝碳化硅砖过程中,材料中碳化硅组分氧化形成的二氧化硅与基体反应起到了结合相的作用.事实上,在空气中烧成制备这种材料时,碳化硅会发生不同程度的氧化,若氧分压高,碳化硅颗粒表面会形成氧化膜并抑制其再氧化,即保护性氧化或被动氧化(passive oxidation);若氧分压低就不能形成保护层,氧化会继续进行,即继续氧化或主动氧化(active oxidation),继续氧化会导致碳化硅不断气化生成SiO(g),这使得碳化硅不仅无法与基质产生反应结合,还会导致材料内部疏松,强度下降,碳化硅无法在材料中起到应有作用.为此,本文研究了高铝碳化硅材料在烧成制备过程中碳化硅骨料的形貌演变及添加碳化硅细粉和单质硅粉对其氧化行为的影响,探明了材料中SiC骨料演变的过程和机理.
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