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SOI技术已走向成熟,进入实际应用阶段.但由于低热传导率的SiO<,2>绝缘氧化埋层所造成的自加热效应导致器件的沟道电流下降和负差分电阻的形成等,导致SOI技术的应用受到一定的限制.因而,如何克服自加热效应,成为SOI材料与器件研究的新课题.本文详细介绍了自加热效应的产生、简介了研究分析的电路仿真工具SPICE,并提出了克服该效应的某些方案.