【摘 要】
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采用单槽法在单晶硅上控电位沉积了Cu/Co纳米多层膜,通过扫描电镜对多层膜进行了表征.利用四探针法研究了镀层的巨磁电阻(GMR)效应与调制波长(λ)的关系,λ较大时,没有观察到
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采用单槽法在单晶硅上控电位沉积了Cu/Co纳米多层膜,通过扫描电镜对多层膜进行了表征.利用四探针法研究了镀层的巨磁电阻(GMR)效应与调制波长(λ)的关系,λ较大时,没有观察到明显和GMR效应,当λ小于100nm时,GMR效应随λ减少而增大,而当λ小于8nm时,GMR效应不再随λ规则地变化.
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