【摘 要】
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利用周期谐振增益结构设计了以AlGaAs/GaInNAs/GaAs为有源区的1.3μm二极管泵浦垂直外腔面发射半导体激光器。根据理论模型计算了纵模限制因子、阈值增益、光增益、输出功率等特征参数。优化了激光器特征参数并设计了OPS-VECSEL结构。理论计算表明,LD泵浦的垂直外腔面发射激光器的输出功率将大于1瓦。
【机 构】
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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,吉林长春 130033
【出 处】
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全国第十三次光纤通信暨第十四届集成光学学术会议
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利用周期谐振增益结构设计了以AlGaAs/GaInNAs/GaAs为有源区的1.3μm二极管泵浦垂直外腔面发射半导体激光器。根据理论模型计算了纵模限制因子、阈值增益、光增益、输出功率等特征参数。优化了激光器特征参数并设计了OPS-VECSEL结构。理论计算表明,LD泵浦的垂直外腔面发射激光器的输出功率将大于1瓦。
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