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本文介绍了离子束溅射,石墨靶,沉积掺氮碳薄膜的设备及工艺.对薄膜沉积过程作了讨论,采用XPS技术对薄膜成份、原子间和掺杂原子的键以及结合能作了研究,在(111)单晶硅片上沉积掺氮碳薄膜,构成C/Si异质结,在100mw/cm<2>光照下,开路电压达200mv.
溅射沉积光伏材料—掺氮碳薄膜
【摘 要】
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本文介绍了离子束溅射,石墨靶,沉积掺氮碳薄膜的设备及工艺.对薄膜沉积过程作了讨论,采用XPS技术对薄膜成份、原子间和掺杂原子的键以及结合能作了研究,在(111)单晶硅片上沉
【机 构】
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上海交通大学分析测试中心(上海)
【出 处】
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中国第六届光伏会议
【发表日期】
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2000年期
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