聚吡咯的化学氧化合成与导电性能研究

来源 :2005年全国高分子学术论文报告会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:fsdafdsfsdsdf
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早在1916 年,有吡咯黑之称的聚吡咯粉末就已合成出来。但直到1979 年,A. F.Diaz 等在乙腈电解液中制备出电导率高达100S/cm 的稳定聚吡咯膜,导电聚吡咯才受到广泛关注。聚吡咯是一种典型的导电高分子,具有较好的空气稳定性,较高的导电性、环境无毒性和可逆的氧化还原特性,在微电子、光学、电化学、生物技术等领域有着诱人的应用前景,因而受到格外重视。本文对聚吡咯的化学氧化合成与导电性能进行了研究.
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